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无锡市晶源微电子申请基于高压功率PMOS管的ESD结构专利，解决现有高压管脚ESD保护器件占用芯片面积较大的问题:高压管
金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市晶源微电子股份有限公司申请一项名为“一种基于高压功率PMOS管的ESD结构”的专利，公开号CN119994820A，申请日期为2025年2
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金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市晶源微电子股份有限公司申请一项名为“一种基于高压功率PMOS管的ESD结构”的专利，公开号CN119994820A，申请日期为2025年2