金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，无锡市晶源微电子股份有限公司申请一项名为“一种基于高压功率PMOS管的ESD结构”的专利，公开号CN119994820A，申请日期为2025年2月高压管 。
专利摘要显示，本发明涉及半导体集成电路技术领域，具体公开了一种基于高压功率PMOS管的ESD结构，包括：用于对高压功率PMOS管的输入端到地进行ESD保护的寄生PNP管；寄生PNP管包括作为基极的高压功率PMOS管的源极P有源区、作为集电极的外部的P有源区衬底接地环和作为基电极的高压功率PMOS管的背栅极N有源区环；其中，在正常工作状态下，寄生PNP管处于截止状态；而当静电放电事件发生时，寄生PNP管导通高压管 。本发明能够解决现有高压管脚ESD保护器件占用芯片面积较大的问题，占用较小的芯片面积，同时提供较高的ESD保护能力。
天眼查资料显示，无锡市晶源微电子股份有限公司，成立于2003年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业高压管 。企业注册资本5106.6757万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡市晶源微电子股份有限公司共对外投资了3家企业，财产线索方面有商标信息9条，专利信息182条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界